1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器电学性能退化的研究

摘要：

通过设计合理的实验方案,对1064 nm连续激光辐照硅基APD探测器后电学性能的变化规律进行了实验研究,在实验中,对硅基APD探测器被激光辐照前后的暗电流和响应度进行了监测.研究发现:随着激光功率密度的增加,硅基APD探测器的实际响应度逐渐减小,但硅基APD探测器的测量响应度逐渐变大,并且和暗电流增大的趋势十分相近,因此,可认为随着激光功率密度的增加,在测试输出电流中暗电流作用逐渐大于光电流作用,即硅基APD探测器的暗电流升高是造成其测量响应度增大的主要原因,并且对此现象给出了合理解释.

关键词：硅基APD探测器、1064 nm连续激光、暗电流、响应度

所属期刊栏目：45

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省教育厅科学技术项目;吉林省自然科学基金

在线出版日期：2022-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：25-30