1064 nm连续激光辐照对硅基PIN探测器光生载流子影响的实验研究

摘要：

研究了连续激光对硅基PIN探测器中光生载流子的影响机理,建立1064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器光生载流子的理论模型,搭建在线输出电流精确采集系统,研究了硅基PIN探测器在不同偏置电压、不同激光功率、不同作用时间条件下,其输出电流的变化规律.结果表明:硅基PIN探测器在外置偏压作用下,输出电流分为三个阶段:光生电流阶段、过渡阶段和恢复阶段.在光生电流阶段,输出电流随着外置偏压的增大而增大.在过渡阶段,输出电流随电压的增大而增大.随着激光注入量的停止,硅基PIN探测器进入恢复阶段及散热阶段,硅基PIN探测器特性开始缓慢恢复.

关键词：1064 nm连续激光、硅基PIN探测器、光生载流子、实验研究

所属期刊栏目：45

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省教育厅科学技术项目;吉林省自然科学基金

在线出版日期：2022-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-24