10.3969/j.issn.1672-9870.2022.03.004
基于热效应的长脉冲激光对硅基PIN恢复时间影响的研究
研究了长脉冲激光对硅基PIN光电探测器输出信号的恢复时间影响机制,基于热效应,建立了长脉冲激光对硅基PIN光电探测器恢复时间的模型.实验测量了不同偏压、脉宽和能量密度下硅基PIN探测器的恢复时间,得到了恢复时间的变化规律.结果表明:偏置电压对恢复时间几乎没有影响,而脉宽和能量密度对其影响较大.这主要是因为脉宽和能量密度引起的温度变化比较显著,而温度影响非平衡载流子寿命,从而导致其恢复时间的变化.
长脉冲激光、硅基PIN光电探测器、恢复时间
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TN249(光电子技术、激光技术)
吉林省教育厅科学技术项目JJKH20200731KJ
2022-08-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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