超薄硅片制备工艺的优化

摘要：

对超薄硅片制备工艺机理进行了优化研究.利用胶粘键合工艺在基片上固定保护硅片,提高了硅片承受工艺加工的机械性能.再结合化学机械抛光工艺,对比不同粘合剂的制备效果和不同压力制备的超薄硅表面粗糙度的变化,成功制备出厚度10μm左右的超薄硅片.表面形貌表征结果显示,硅片总厚度偏差为约0.5μm,平均粗糙度值为0.5 nm,这表明使用化学机械研磨抛光的工艺方法,优化减薄条件下,可保证硅片表面情况.研究结果将为硅半导体器件的微型化发展和性能提升提供了工艺指导.

关键词：超薄硅片、化学机械研磨抛光、表面形貌、总厚度偏差、表面粗糙度

所属期刊栏目：45

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;吉林省教育厅十三五科学技术研究项目

在线出版日期：2022-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5