新型单发射腔高功率半导体激光器封装结构特性研究

摘要：

多引线结构是现有大多数C-Mount封装半导体激光器的基本结构,其固定的正负极仅可实现特定的功能,无法满足不同领域使用半导体激光器的要求.因此,介绍了一种波长为808nm,输出功率为8W的C-Mount封装结构的高功率半导体激光器,此种封装结构可改变电极方向,拥有散热性能优良,持续输出功率稳定的特性,并且结构简单,性能稳定可靠.通过大量实验研究表明,在25℃的稳定连续电流条件下长时间的寿命测试,未出现功率衰减以及灾变性光学腔面损伤(COMD)的现象,并且具有较低的阈值电流Ith以及线性增加的斜率效率.

关键词：半导体激光器、封装结构、阈值电流、斜率效率、高功率

所属期刊栏目：41

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：长春市重大科技攻关计划项目14KG014

在线出版日期：2018-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19