离轴倾角磁控溅射生长氧化锌薄膜及其物性研究

摘要：

宽禁带半导体ZnO具有高激子束缚能(60MeV)、低生长温度和低成本等诸多优势,是一种理想的紫外光电材料.作为光电器件的核心部分,薄膜质量是影响器件性能和表现的关键.因此,高质量ZnO薄膜的制备具有重要研究意义.相比于分子束外延和金属有机化学气相沉积等薄膜生长方法,磁控溅射技术具有明显的成本优势,并且适于大尺寸薄膜的生长,是薄膜生长工业中利用率最高的一种技术手段.采用新型共溅射磁控溅射系统,以离轴倾角溅射方式在硅基片上沉积一系列ZnO薄膜,探究了溅射功率和生长气氛等主要工艺参数对ZnO薄膜的形貌、结构和发光等物性的影响.

关键词：氧化锌薄膜、磁控溅射、离轴倾角溅射

所属期刊栏目：39

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：吉林省科技发展计划青年科研基金项目20160520114JH;长春理工大学科技创新基金项目XJJLG-2015-02

在线出版日期：2016-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：40-44,50