808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

摘要：

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能，对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究，制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液，通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比，能够较精确的控制腐蚀深度，消除“燕尾”结构，最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明，采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件，室温下的阈值电流为430mA，微分量子效率为0.44W/A，最大输出功率达到0.42W，其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。

关键词：垂直腔面发射半导体激光器、高功率、湿法刻蚀、燕尾结构、刻蚀速率

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2015-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11