1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究

摘要：

设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型，并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明，量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时，器件的阈值电流为0.8mA，斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8mA时，输出功率达到0.12mW。

关键词：GaAsSb/GaAs、量子阱、垂直腔面发射激光器、阈值电流、斜率效率

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61006039，61370043；高功率半导体激光国家重点实验室基金9140C310101120C031115

在线出版日期：2015-01-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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