GaAs基大功率半导体激光器无氧解理钝化技术研究

摘要：

大功率半导体激光器失效的一个主要原因是半导体激光器的腔面退化，由于空气中解理时氧化而引起。针对性地设计了一种与磁控溅射台配合使用的惰性载气保护条件下的无氧解理操作台。采用磁控反应溅射腔面SiNx钝化膜工艺，获得了最高输出功率比未镀膜的器件高65.7%，比湿法钝化技术的器件提高约21%的器件。证明无氧解理SiNx钝化技术是一种有效的减少腔面界面态，提高大功率半导体激光器COD阈值的技术手段。

关键词：GaAs、大功率半导体激光器、无氧钝化解理技术

分类号：TH74(仪器、仪表)

资助基金：国防基金项目91400310302120C3101

在线出版日期：2014-11-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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