分子束外延生长长波长多层InAs量子点

摘要：

采用应变InGaAs覆盖层可以实现GaAs基量子点1.3μm，但是1.55μm GaAs基量子点的制备难度要大得多，需要高In含量的覆盖层和较大的量子点。但是高In量子点容易引起快速降解的非辐射复合中心，影响QD材料的晶体和光学特性。较为系统的研究了长波长多层InAs量子点的MBE生长，优化了生长条件，获得了波长约为1568nm的多层InAs量子点材料。

关键词：多层、长波、InAs、量子点

分类号：O346(固体力学)

资助基金：国家自然科学基金项目61009039，60976056；吉林省科技厅资助项目201101100；吉林省教育厅资助项目

在线出版日期：2014-03-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：52-53,57