磁控溅射制备Ti-Zn-O复合薄膜及其光学性质研究

摘要：

TiO2是作为一种宽禁带半导体材料可作为紫外器件，但因其间接带隙结构、禁带宽度仅为3.0eV等特点，严重影响其应用范围。本文利用共溅射技术，通过Zn掺杂，在K9玻璃基底上制备了Ti-Zn-O复合薄膜，并研究了Zn溅射功率对其结构及光学性质的影响。结果显示：所制备的薄膜为ZnTiO3和不饱和TiO2的复合结构，随着Zn粒子的溅射能量增加，晶粒尺寸和表面粗糙度增加，并可将薄膜本征吸收边蓝移至3.61eV。

关键词：磁控溅射、掺杂、复合薄膜、禁带宽度

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：吉林省环保厅科技项目2011-32;吉林省教育厅应用基础研究2013-378

在线出版日期：2014-03-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-51