980nm内腔接触式VCSEL的模拟和分析

摘要：

为了提高VCSEL的光电性能，设计了一种内腔接触式VCSEL结构器件。本文采用Crosslight PICS3D分析软件，分别对相同外延生长情况下的980nm VCSEL传统结构和内腔接触式结构的光电性能进行模拟。经模拟得到，传统结构器件的阈值电流为8.76mA，内腔接触式结构的阈值电流为6.23mA，低于传统结构；当器件的注入电流均为25mA、在阈值电流三倍附近时，传统结构器件的输出功率为5.6mW，内腔接触式结构器件为7mW，器件输出功率和转换效率得到提高，光电性能得到改善，且稳定工作。

关键词：垂直腔面发射激光器、内腔接触式、阈值电流、输出功率

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：吉林省科技发展计划项目20080331-2

在线出版日期：2013-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：71-73