生长温度和源氛浓度对ZnO晶体生长影响的机理分析

摘要：

　　利用原子层沉积（ALD）方法在Si （100）片上沉积200nm的ZnO薄层作为籽晶层，通过化学气相沉积（CVD）法常压下在籽晶层上生长ZnO晶体结构。通过X射线衍射（XRD）、场发射电子扫描显微镜（FESEM）和光致发光光谱（PL）手段对其结构形貌及光学性质进行表征，结合晶体生长机理讨论和分析影响ZnO微纳结构生长的因素。结果表明，反应源气氛浓度是影响ZnO形貌的重要因素。

关键词：化学气相沉积、ZnO微纳结构、反应源浓度

分类号：TH164

资助基金：国家自然科学基金61006065，61076039，10804071；高等学校博士学科点专项科研基金20102216110001，20112216120005；吉林省自然科学基金20101546;吉林省科技发展计划20091039，20090555，20121816，201201116；吉林省教育厅项目2011JYT05，2011JYT102011JYT11

在线出版日期：2013-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：124-127