同质缓冲层温度对ZnO薄膜质量的影响

摘要：

ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料.本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜.缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K.X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是(002)择优取向.综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好.

关键词：ZnO薄膜、射频磁控溅射、同质缓冲层温度、吸收谱

所属期刊栏目：35

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：2010年国家级大学生创新性实验计划项目2010A0637

在线出版日期：2012-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：128-130