10.3969/j.issn.1672-9870.2011.03.001
锑化物中红外半导体激光器研究进展
2~5微米中红外波段是极其重要的大气窗口,工作在该波段的半导体激光器的应用领域非常广泛.锑化物具有独特的能带结构,其禁带宽度可调范围较大,对应的发光波长可以覆盖整个中红外波段,因此一直是研究的重点和热点.本文简要介绍了锑化物半导体激光器的几种结构,锑化物激光器的外延生长方法和存在的困难,综述了当前国内外的研究进展.
锑化物、半导体激光器、中红外
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TN304.2;TN365(半导体技术)
2012-02-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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