热退火对氮铝镓MSM结构紫外光电探测器性能的影响

摘要：

宽带隙半导体合金材料ALxGa1-xN成为紫外光电探测器的优选材料,本文通过金属有机气相外延(MOCVD)的方法在Al2O3衬底上制备出Al0.25Ga0.75N合金薄膜,并通过紫外曝光和湿法腐蚀的方法,制备出平面对称结构的金属-半导体-金属( MSM)叉指电极结构,通过器件在氮气气氛下不同温度的退火,使得器件的响应度得到很大的提高,在1V偏压下达到3.25A/W,同时对器件的其它参数进行了深入的分析.

关键词：氮铝镓、紫外、光电探测器、热退火

所属期刊栏目：34

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2011-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：154-156,168