基于A1N掩蔽膜的半导体激光器温度场分布研究

摘要：

运用ANSYS软件建立了808nm高功率半导体激光器内部热源分析模型,并对其进行瞬态温度及稳态温度模拟,讨论了SiO2及A1N材料掩蔽膜对器件内部温度场分布的影响.结果表明,有源区的平衡温度由器件的散热特性决定,用A1N材料代替SiO2材料制备掩蔽膜,能降低器件内部温度,更好的满足半导体激光器高效率工作的需要.

关键词：半导体激光器、热分布、ANSYS软件、掩蔽膜

所属期刊栏目：34

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2011-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：59-61