ZnO纳米棒阵列的可控生长与表征

摘要：

采用化学溶液法在沉积了ZnO种子层的SnO2:F导电玻璃衬底上,生长了ZnO纳米棒阵列.研究了1,3-丙二胺浓度对纳米棒阵列的形貌结构的影响规律.采用扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)对ZnO纳米棒的表面形貌和晶格结构进行了表征.SEM结果表明纳米棒阵列垂直衬底表面生长,XRD结果表明纳米棒生长方向沿着[002]晶向,具有单晶结构.1,3-丙二胺浓度对制备得到的纳米棒形貌、长度等有明显调控作用.在优化条件下生长的ZnO纳米棒的长度大约7μm,根部直径150nm,尖端直径大约10nm.研究了ZnO纳米棒阵列的光致发光(PL)特性.

关键词：ZnO、化学溶液法、纳米棒阵列

所属期刊栏目：33

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家基础科学人才培养基金J0730318;山东大学自主创新基金2009TS095

在线出版日期：2010-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：112-115,133