HFCVD法制备SiC材料及结构分析

摘要：

采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.实验结果表明所制备的样品为SiC晶体.

关键词：碳化硅、HFCVD、晶体

所属期刊栏目：31

分类号：TQ153

资助基金：河南科技大学科学研究基金;河南科技大学人才科学研究基金

在线出版日期：2008-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：72-73