环形分布孔氧化物限制技术-VCSELs的新工艺

摘要：

采用一种新工艺制备垂直腔面发射激光器阵列(VCSELs)的方法.用环形分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口,孔的分布是由出光孔、侧向氧化深度和湿法腐蚀深度等因素决定的.经分析设计后孔的分布以十个孔最佳,分布孔之间是天然的电流注入通道解决了电极过沟断线问题.由瞬态热传导方程对阵列单元器件的热相互作用进行了理论分析.阵列中单元器件的出光孔径为400μm,在室温下连续输出光功率为0.6w,峰值波长为808nm.

关键词：垂直腔面发射激光器、激光器阵列、环形分布孔、氧化物限制技术

所属期刊栏目：30

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家计划项目62301020203 60676025

在线出版日期：2008-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26