高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长

摘要：

为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素.分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系.通过综合考虑各个因素,选用了AlInGaAs四元系统作为有源材料 ,优化设计出了高特征温度的半导体激光器结构, 并用MBE设备生长这种结构,测试样品质量达到了设计要求.

关键词：高特征温度、分子束外延(MBE)、俄歇复合、AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

所属期刊栏目：29

分类号：O614(无机化学)

资助基金：武器装备预研基金51456010103zk1001

在线出版日期：2007-01-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,15