Si-MCP连续打拿极的制备

摘要：

本文阐述了MCP连续打拿极传统的制备方法,并提出采用半导体技术制备Si-MCP连续打拿极的新途径,通过对比进一步总结出采用新方法制备MCP连续打拿极的优越性.

关键词：先进技术微通道板、连续打拿极、LPCVD

所属期刊栏目：29

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国防重点实验室基金51485010403/BQ0301

在线出版日期：2006-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：86-88