硅掺杂半导体立方氮化硼单晶的制备

摘要：

本文采用扩散的方法实现了立方氮化硼的硅掺杂,分析了扩散温度、时间对其电阻的影响.实验结果表明:在扩散的初始时段,立方氮化硼的电阻下降很快;而随着掺杂时间的增加,电阻变化趋缓,说明掺杂浓度随时间增加将出现饱和现象.另外,当扩散温度增加时,立方氮化硼的电阻也随之下降,即较高的温度有利于获得较高的掺杂浓度.

关键词：扩散温度、扩散时间、立方氮化硼

所属期刊栏目：27

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金69576012

在线出版日期：2004-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：107-109