10.3969/j.issn.1672-9870.2003.04.026
InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于1W,峰值波长910nm±2nm.
金属有机化合物气相沉积、单量子阱、分别限制异质结构
26
TN248.4(光电子技术、激光技术)
国防重点实验室基金00ES3603
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
76-77