InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究

摘要：

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器,其有源区采用了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于1W,峰值波长910nm±2nm.

关键词：金属有机化合物气相沉积、单量子阱、分别限制异质结构

所属期刊栏目：26

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防重点实验室基金00ES3603

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：76-77