GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

摘要：

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素.利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料(GRIN-SCH-SQW).利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806～809nm.

关键词：半导体激光器、列阵、分子束外延、量子阱

所属期刊栏目：23

分类号：O475(半导体物理学)

在线出版日期：2007-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36