等离子体技术制备氧化硅阻隔层薄膜的研究

摘要：

采用无任何污染的等离子体技术,进行SiOx薄膜的沉积:电子束蒸发氧化硅、离子源辅助电子束蒸发氧化硅、磁控溅射沉积氧化硅、离子源辅助磁控溅射沉积氧化硅、等离子体化学气相沉积SiOx等,并对所沉积的薄膜进行结构性能的比较研究.

关键词：等离子体技术、SiOx薄膜、高阻隔包装

所属期刊栏目：29

分类号：TB43;TB484(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金1775017;北京市人才强校拔尖人才计划PHR

在线出版日期：2008-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8-11,14