四甲基硅氧烷制备SiOx低表面能薄膜

摘要：

采用13.56MHz的射频等离子体聚合装置,以四甲基二硅氧烷(TMDSO)为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上沉积氧化硅低表面能薄膜.在薄膜的制备工艺研究中,通过改变放电方式、工作压强、放电功率、沉积时间、氩气和TMDSO单体的比例等参数,研究氧化硅薄膜的沉积速率;通过傅立叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)等分析了沉积膜的化学组成和结合状态;利用接触角测定仪测量薄膜的接触角,从而计算薄膜的表面能,最终从结构分析上研究影响SiO2薄膜低表面能内在因素.

关键词：PECVD、四甲基二硅氧烷、低表面能薄膜、SiOx薄膜

所属期刊栏目：27

分类号：TQ325

资助基金：北京印刷学院校科研和教改项目

在线出版日期：2006-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：68-70