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10.3969/j.issn.1001-3563.2003.03.006

半正弦脉冲激励下双线性包装系统位移损坏边界确定的解析方法

引用
运用包装动力学中的位移损坏边界新理论,选择简化自典型缓冲系统的双线性动力学模型,用解析方法首次获得了半正弦脉冲激励下的位移损坏边界.论文的分析思路与方法,为从理论上探讨不同力学特征缓冲系统的防护规律可能有所启迪.

半正弦波、双线性材料、位移损坏边界、解析法

24

TB48;TB485.1;TB487(工业通用技术与设备)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

19-21,29

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1001-3563

50-1094/TB

24

2003,24(3)

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