10.3969/j.issn.1001-3563.2003.03.006
半正弦脉冲激励下双线性包装系统位移损坏边界确定的解析方法
运用包装动力学中的位移损坏边界新理论,选择简化自典型缓冲系统的双线性动力学模型,用解析方法首次获得了半正弦脉冲激励下的位移损坏边界.论文的分析思路与方法,为从理论上探讨不同力学特征缓冲系统的防护规律可能有所启迪.
半正弦波、双线性材料、位移损坏边界、解析法
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TB48;TB485.1;TB487(工业通用技术与设备)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
19-21,29