BST薄膜射频磁控溅射工艺与介电性能研究

摘要：

用射频磁控溅射在单晶氧化铝基片上制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜.研究溅射功率、基片温度、靶基距、溅射气压、气氛组成、溅射时间等溅射参数、热处理条件对薄膜表面形貌及生长过程的影响,测试薄膜的介电常数、介电损耗及介电常数随外加偏置电场的变化.结果表明:靶基距为100 mm,溅射功率为300～320 W,气氛压力为0.8 Pa,氩氧比为5:1时,沉积时间在2～4 h,沉积速率适中,薄膜致密性好,厚度约为0.8～1.0μm;600℃热处理30 min得到晶粒为纳米尺寸且结构致密的BST薄膜;BST薄膜介电常数随测试频率升高略有下降,介电损耗随测试频率升高明显增大,介电常数随外加偏置电场变化展现出较好的偏场可调特性.

关键词：钛酸锶钡薄膜、射频磁控溅射、工艺参数、表面形貌、介电性能

所属期刊栏目：44

分类号：TG146.32(金属学与热处理)

资助基金：总装备部预先研究项目;内蒙古自然科学基金

在线出版日期：2021-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：81-86