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SiC单晶片切割力的广义预测控制

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SiC单晶因优良的物理和力学性能而大量用于大功率器件和IC行业,但由于材料的高硬度和高脆性,使其加工过程变得困难.基于进给量与切割力的差分方程,设计广义预测控制器控制切割力.结果表明:所设计控制器能够很好地跟踪不同信号,具有良好的鲁棒性;相比与普通的切割过程,能够提高加工效率,并获得较好的加工表面.

广义预测控制、切割力、加工效率、表面质量、SiC单晶片

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TP273.2(自动化技术及设备)

国家自然科学基金项目51175420;西安市自然科学基金项目GX1506

2016-04-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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