10.3969/j.issn.1004-244X.2015.02.010
预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响
以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p+-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜(MZO)。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明:经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p+-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS(104~106);器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流(SCLC)传导。
Mn掺杂ZnO、溶胶凝胶、阻变特性、预热处理
TM242(电工材料)
国家自然科学基金51262003;广西信息材料重点实验室基金桂科能1110908-10-Z
2015-04-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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