单项掺杂对8YSZ粉体3~5μm波段发射率的影响

摘要：

采用高温固相法对8YSZ粉体分别进行ZnO、Al2O3及MoO3的单项掺杂，通过XRD、SEM等表征手段，探讨分析单项掺杂影响8YSZ粉体发射率的机理。结果表明：单项掺杂后8YSZ粉体3~5μm波段下的红外发射率从室温~600℃下保持不断降低的趋势，掺杂Al2O3后粉体的发射率整体上升，而掺杂ZnO及MoO3后的8YSZ粉体发射率整体有所降低；单项掺杂MoO3的效果最好，掺杂的摩尔分数为5%，样品粉体（MoO3）0.05（8YSZ）0.95的发射率最低，降至600℃下的0.249。

关键词：8YSZ、单项掺杂、发射率、导电性

分类号：TQ325.12;TN976

资助基金：国家自然科学基金资助项目51173079

在线出版日期：2015-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-26,27