10.3969/j.issn.1004-244X.2015.02.007
单项掺杂对8YSZ粉体3~5μm波段发射率的影响
采用高温固相法对8YSZ粉体分别进行ZnO、Al2O3及MoO3的单项掺杂,通过XRD、SEM等表征手段,探讨分析单项掺杂影响8YSZ粉体发射率的机理。结果表明:单项掺杂后8YSZ粉体3~5μm波段下的红外发射率从室温~600℃下保持不断降低的趋势,掺杂Al2O3后粉体的发射率整体上升,而掺杂ZnO及MoO3后的8YSZ粉体发射率整体有所降低;单项掺杂MoO3的效果最好,掺杂的摩尔分数为5%,样品粉体(MoO3)0.05(8YSZ)0.95的发射率最低,降至600℃下的0.249。
8YSZ、单项掺杂、发射率、导电性
TQ325.12;TN976
国家自然科学基金资助项目51173079
2015-04-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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23-26,27