ITO玻璃基PLZT铁电材料的制备和性能研究

摘要：

采用溶胶-凝胶(sol-gel)工艺直接在掺锡氧化铟(ITO)玻璃衬底上制备生长(Pb0.92La0.08) (Zr0.53,Ti0.47)O3(PLZT)铁电薄膜,研究不同的退火温度对PLZT薄膜生长行为、电性能及光学性能的影响.结果表明,经650℃退火PLZT薄膜具有较好矫顽场强(55 kVcm)和剩余极化强度(38μC/cm2),薄膜的漏电流可达最低值(7.1 nA),薄膜具有较好的介电性及透光性.

关键词：PLZT、退火温度、电性能、光学特性、sol-gel

所属期刊栏目：34

分类号：TM22+1(电工材料)

资助基金：广西自然科学基金资助项目桂科自0832247;广西科技基础条件平台建设专项10-046-13

在线出版日期：2011-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：38-41