CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究

摘要：

为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层,针对CVD工艺特点,采用正交设计方法对MTS+H2体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上,计算了6种工艺因素对SiC-CVD过程影响的方差,对各自影响的显著性进行了分析,并讨论了所属的21种工艺条件对沉积结果的影响.

关键词：碳/碳复合材料、碳化硅涂层、CVD、正交设计

所属期刊栏目：23

分类号：TB332;V257(工程材料学)

资助基金：国防科研项目;航空科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：35-40