基于Cu阻挡层的Al/CuO含能半导体桥的电爆性能研究

摘要：

界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素,直接影响纳米RMFs的反应性能.为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能,采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥(Al/CuO-ESCB)和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响.结果表明:增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间,增加ESCB的燃烧时间.

关键词：纳米Al/CuO RMFs、半导体桥、阻挡层、电爆特性

所属期刊栏目：51

分类号：TJ450.3(弹药、引信、火工品)

资助基金：国家自然科学基金;国防科技重点实验室基金

在线出版日期：2022-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6