Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响

摘要：

使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6 μm厚度的Al/MoO3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响.研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加.

关键词：含能材料、Al/MoO3纳米含能复合薄膜、含能半导体桥、发火特性

所属期刊栏目：46

分类号：TJ55;TJ450(爆破器材、烟火器材、火炸药)

资助基金：国家自然科学基金青年基金资助项目51201091

在线出版日期：2017-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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