基于Al/MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1001-8352.2013.06.001

基于Al/MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究

引用
使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x 纳米复合薄膜集成于半导体桥( SCB ),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x 以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoOx 薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下, SCB-Al/MoOx 反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB ,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。

Al/MoOx 纳米复合薄膜、含能半导体桥、点火起爆特性、等离子体测温

TJ51;TJ450.1(爆破器材、烟火器材、火炸药)

国家自然科学基金资助项目51201091

2014-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1-6

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

爆破器材

1001-8352

32-1163/TJ

2013,(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn