10.3969/j.issn.1001-8352.2013.06.001
基于Al/MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究
使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x 纳米复合薄膜集成于半导体桥( SCB ),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x 以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoOx 薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下, SCB-Al/MoOx 反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB ,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。
Al/MoOx 纳米复合薄膜、含能半导体桥、点火起爆特性、等离子体测温
TJ51;TJ450.1(爆破器材、烟火器材、火炸药)
国家自然科学基金资助项目51201091
2014-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1-6