单晶金属衬底上多层石墨烯的可控生长进展

摘要：

石墨烯作为一种理想的二维材料,具有机械性能好、电阻率低、热导率高等优点,受到人们的广泛关注.特别地,通过调控石墨烯层数可以改变石墨烯的电学性质,如带隙可调、半导体性质、特殊量子行为等,拓展石墨烯在柔性透明电极、高温超导、高性能传感等领域的应用.目前,人们已对金属衬底上高质量单层石墨烯的制备做了很多研究,发现当单层石墨烯覆盖金属衬底时,衬底将失去催化活性,使得高质量多层石墨烯的可控生长变得非常困难.为了制备多层石墨烯,研究人员已经探索了多种生长方法 .总结了单晶金属衬底上多层石墨烯两种常见的生长模式,即表面成核控制的层层往上生长和偏析成核控制的层层往下生长,表面成核控制生长包括气源分子束外延、等离子体化学气相沉积等,偏析成核控制生长包括合金衬底偏析、单质金属衬底偏析等.针对多层石墨烯的各种生长方法 ,分别从成核密度、晶畴尺寸、层厚均匀性等方面进行了分析总结.最后,对该领域的发展趋势进行了展望,有助于为多层石墨烯的可控生长提供新的解决方案,促进多层石墨烯的发展与应用.

关键词：金属衬底、化学气相沉积、多层石墨烯、生长模式、层数控制

所属期刊栏目：52

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;低维量子物理国家重点实验室开放研究基金

在线出版日期：2023-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共16页

页码：19-34