10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.09.005
直流和高功率磁控溅射制备氮化铬薄膜及其结构性能比较
目的 比较直流磁控溅射(DCMS)和高功率磁控溅射(HiPIMS)两种沉积技术制备的氮化铬(CrN)薄膜的结构和性能.方法 采用DCMS和HiPIMS沉积技术,在金属镍(Ni)基底上沉积CrN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和显微硬度计等仪器,分析CrN薄膜的晶相结构、表面以及截面形貌、基底与薄膜复合硬度、摩擦性能等.结果 XRD晶体测量显示DCMS制备的CrN薄膜在(111)晶面择优生长,内应力大;而HiPIMS制备的CrN薄膜为(200)晶面择优生长,内应力小.SEM显示两种方法制备的CrN薄膜都呈柱状晶体结构生长,但HiPIMS沉积的CrN薄膜颗粒尺寸较小,柱状晶体结构和晶粒更致密.硬度测量得到HiPIMS制备的CrN薄膜显微硬度为855.9HV,而DCMS制备的CrN薄膜显微硬度为501.5HV.此外,DCMS制备的CrN薄膜平均摩擦系数为0.640,而HiPIMS制备的CrN薄膜摩擦系数为0.545,耐磨性也好.HiPIMS制备的CrN薄膜的腐蚀电流比DCMS制备的CrN薄膜低1个数量级.结论 HiPIMS沉积技术制备的CrN薄膜颗粒尺寸小,结构更致密,且缺陷少、硬度高、防腐蚀性好,薄膜各项指标都优于DCMS沉积的CrN薄膜.
氮化铬、直流磁控溅射、高功率磁控溅射、结构、性能、耐磨性、耐腐蚀性
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TG174.442(金属学与热处理)
国家自然科学基金项目11775028,11505013,11605012,11875090;北京市自然科学基金项目4162024;北京市自然科学基金重点项目KM201510015009;绿色印刷出版技术协同创新项目20160113
2019-10-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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