ZnO掺杂对ZnSb相变薄膜结构和电学特性的影响

摘要：

目的 通过掺杂不同量的ZnO提升ZnSb相变薄膜的晶化温度和晶态膜电阻.方法 采用磁控溅射双靶共溅方式制备不同含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜,使用真空四探针设备原位测试薄膜电阻随温度的变化情况,用EDS、DSC、XRD、Raman、FESEM、UV-Vis分别对薄膜的成分、晶化温度和熔点、掺杂薄膜的结构、薄膜厚度、表面形貌以及光学带隙进行分析.结果 ZnO掺杂量为1.6％时,ZnO掺杂提升了薄膜的晶化温度和晶态薄膜的电阻,并抑制了ZnSb晶粒的长大.薄膜的晶化温度由253℃提升至263℃,光学带隙由0.37 eV提升至0.38 eV,掺杂薄膜晶粒大小为20 nm左右,远低于未掺杂的50 nm.掺杂薄膜内的O原子更易与Sb结合,过多的ZnO掺杂会使薄膜结晶后形成Sb2O3晶粒,使薄膜的晶化温度下降.结论 低含量ZnO掺杂的ZnSb薄膜具有更高的晶化温度、更细小的ZnSb晶粒以及更高的膜电阻;过量的ZnO掺杂使薄膜在结晶后产生分离的Sb2O3相,恶化薄膜性能.

关键词：相变薄膜、电学特性、晶化温度、结构变化

所属期刊栏目：48

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

在线出版日期：2019-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：347-352