共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究

摘要：

目的 研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO(AZO)薄膜光电性能的影响.方法 以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜.通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪,对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行表征和分析.结果 所制备的AZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,在可见光区域平均透过率超过90％,AZO薄膜的吸收边相比于ZnO薄膜出现了蓝移.当Al靶溅射功率为18 W时,AZO薄膜的最低电阻率为2.49×10-3?·cm,品质因子为370.2 S/cm.结论 Al直流溅射功率对AZO薄膜光电性能的影响较大,溅射功率为18 W时,制备的AZO薄膜性能最优.

关键词：AZO薄膜、共溅射、溅射功率、光电性能

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分类号：TG174.442;O484(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金51302075,61302004;湖北省自然科学基金ZRZ2015000203

在线出版日期：2018-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：233-238