Zn掺杂CdO薄膜的溅射法制备和光电性能研究

摘要：

目的 通过向CdO薄膜中掺杂ZnO,在尽量不影响其电学性质的前提下,拓宽禁带宽度并改善性能.方法 通过磁控射频溅射分别在玻璃基底和硅<111>基底上沉积了一系列Cd1-xZnxO透明导电薄膜.利用XRD、紫外可见分光光度计和霍尔效应测量仪,测试了薄膜的结构、光学和电学性能.结果 随着Zn掺杂含量的增加,薄膜结构会发生变化:x<0.25时,薄膜结果为岩盐相;0.25<x<0.5时,薄膜结构为混合相;x>0.5时,薄膜结构变成了纤锌矿相.掺杂Zn后,薄膜吸收边可以提升到3 eV左右,同时其电阻率为6.69×10-4?·cm,载流子浓度为7.92×1020 cm-3,与纯CdO薄膜电学性质相近.结论对CdO薄膜进行一定量的ZnO掺杂,可以在不影响其电学性质的前提下提高禁带宽度,从而使薄膜具有良好的光电性能.

关键词：CdO、ZnO、薄膜、磁控射频溅射、霍尔效应、吸收边

所属期刊栏目：46

分类号：TG174.442(金属学与热处理)

资助基金：国家基础科学人才培养基金项目J1103207;国家自然科学基金项目51602302 Supported by the National Science Fund for Fostering Talents in Basic Science J1103207 , the National Natural Science Foundation of China51602302

在线出版日期：2017-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：72-75