基于紫外臭氧光照技术的PDMS表面改性参数研究
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10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.03.015

基于紫外臭氧光照技术的PDMS表面改性参数研究

引用
目的:聚二甲基硅氧烷( PDMS)作为微流控芯片研制中常用的高分子材料,其本身的疏水特性是影响微流控芯片整体键合效果的主要障碍。为了在短时间内成功实现PDMS与基底材料的有效键合与封装,设计一种可在普通实验室开展的低成本且高效的PDMS材料改性方法。方法基于紫外臭氧光照改性法对PDMS材料表面进行改性研究,通过正交试验深入研究紫外光照射时间、距离及通氧时间对PDMS表面改性效果的影响,并在50℃水浴环境下通过测量不同时间PDMS基片与盖片( PDMS或玻璃)的键合强度,从而确定最优工艺参数组合。结果相比于传统紫外光照射表面改性法的键合时间(大于50 h),本工艺可在6 h内成功实现PDMS的有效封装,并确定了P—P键合和P—G键合的最优参数组合,两者平均键合强度均大于200 kPa。结论整个工艺操作简单、成本低,可作为普通实验室开展微流控实验研究的有益补充。

表面改性、紫外臭氧光照、聚二甲基硅氧烷、键合强度、最优工艺参数

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TQ31;TB34

国家科技支撑计划资助项目2015BAI01B14;重庆理工大学研究生教育教学改革项目yjg2013205;重庆理工大学实验技术基金项目Sk201403 Fund:Supported by the National Science and Technology Support Program2015BAI01B14;Chongqing University of Technology Graduate Programs in Edu-cation and Teaching Reformyjg2013205;Chongqing University of Science and Technology Experiment Technology Fund ProjectsSk201403

2016-04-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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表面技术

1001-3660

50-1083/TG

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2016,45(3)

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