负偏压对多弧离子镀TiN涂层大颗粒形貌及像素分布的影响

摘要：

目的 分析不同负偏压下TiN涂层表面的大颗粒数量、尺寸和面积以及像素分布,为多弧离子镀技术的工业化应用提供基础数据. 方法 采用多弧离子镀膜技术,以脉冲负偏压为变量,在硬质合金表面沉积TiN涂层. 用扫描电子显微镜对涂层表面形貌进行表征,并利用ImageJ软件对表面大颗粒的数量和尺寸进行分析,对像素分布进行统计. 结果 随着负偏压的增加,涂层表面大颗粒的数量先增多,后减少. 负偏压为100 V时,大颗粒数量最多,为1364;负偏压为300 V时,大颗粒数量最少,为750. 此外随着负偏压的增加,大颗粒所占涂层面积比逐渐减小. 未加负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最大,为6 . 9%,且此时涂层的力学性能最差;采用400 V负偏压时,涂层表面大颗粒所占面积比最小,为3 . 3%,且此时涂层的力学性能最好. 负偏压为300 V时,亮、暗像素点的个数最多,为8302;负偏压为400 V时,亮、暗像素点的个数最少,为4067. 结论 当占空比为30%,沉积时间为1 h,负偏压为400 V时,获得的涂层力学性能最好,颗粒数量少且尺寸小.

关键词：多弧离子镀、TiN涂层、负偏压、ImageJ软件、大颗粒、像素分布

所属期刊栏目：44

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：四川省教育厅项目15ZA0232;四川理工学院科研培育项目2014PY10 Supported by Research Project of Sichuan Provincial Education Department15ZA0232;Foster Research Project of Sichuan University of Science and Engineering2014PY10

在线出版日期：2015-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：29-34