雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析

摘要：

目的：研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。

关键词：雾化施液、硅片、位错腐蚀坑、传统抛光、雾化参数

分类号：TG175(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金项目51175228 Fund:Supported by the National Natural Science Foundation of China51175228

在线出版日期：2015-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：129-135