工艺参数对磁控溅射制备TiO2薄膜结晶性的影响

摘要：

目的：探究TiO2薄膜结晶性与工艺参数之间的规律。方法采用直流反应磁控溅射法,改变工艺条件(样品位置、溅射功率、氧气分压、是否开转架、沉积温度以及是否退火),在普通载玻片基底上制备TiO2薄膜,并利用XRD和SEM对不同工艺参数下获得的TiO2薄膜进行分析。结果在靶基距固定的情况下,仅改变样品悬挂的上下位置时,薄膜的结晶性差别不大。随着溅射功率在一定范围内增大,薄膜的结晶性越来越好(趋于锐钛矿晶型)。与氧气分压为5%时相比,10%时的薄膜结晶性更优；与开转架时相比,不开转架时薄膜的结晶性更优。沉积温度在300,350℃两者之间变化时,对薄膜的结晶性影响不大。退火后薄膜的结晶性优于未退火薄膜。结论样品位置、沉积温度对于TiO2薄膜的结晶性影响不大；氧气分压、是否开转架对TiO2薄膜的结晶性有一定影响；溅射功率、退火与否对TiO2薄膜的结晶性影响较大,并且退火后出现金红石相。

关键词：磁控溅射、工艺参数、TiO2 薄膜、结晶性

分类号：TG174.444;O484.1(金属学与热处理)

在线出版日期：2015-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：48-52,101