PCVD法制备Fe-6.5%Si高硅钢片的工艺研究
为制备Fe-6.5%Si高硅钢片,先利用PCVD技术在0.2 mm厚的纯铁片表面沉积硅,再进行高温扩散.通过正交实验分析了沉积硅的工艺参数对表层硅含量的影响,并研究了扩散参数对截面硅含量分布的影响.结果表明:以10% Sill4+90% Ar作为渗源气,在500℃下沉积20 min,所得样品的表层硅含量高达40.5%;然后在工业纯氢气的保护下,于1050℃保温60 min,可获得满足要求的Fe-6.5%Si高硅钢片.
PCVD、6.5%Si硅钢片、渗硅、扩散处理
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TG174.444(金属学与热处理)
2013-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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