真空蒸镀多晶硅薄膜工艺对其组织和性能的影响

摘要：

采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响.实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60 mm为最佳工艺条件,采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384.2 V.

关键词：真空蒸镀、退火、多晶硅薄膜

所属期刊栏目：40

分类号：TG174.444;O484.4(金属学与热处理)

在线出版日期：2011-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：83-85