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10.3969/j.issn.1001-3660.2008.04.017

ZnSe薄膜电沉积工艺条件的研究

引用
采用电沉积方法制备了ZnSe薄膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值及电流密度等对膜层的影响.通过正交试验对上述各参数进行优化,以寻求最佳的工艺条件,得到最佳制备条件为:电流密度6.0mA/cm2,柠檬酸钠14.71g,pH值3.5,Zn2+/SeO2-3浓度比200:1,温度65℃,时间8min.在此条件下制备了薄膜样品,并用扫描电镜、EDAX能谱仪对镀层进行了表征,其结构均匀致密,Zn/Se化学计量比为1/1.01.

电沉积、ZnSe薄膜、工艺条件

37

TQ153.2

河南省自然科学基金资助项目0511050200

2008-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

45-48

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1001-3660

50-1083/TG

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2008,37(4)

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