表面活性剂对铝合金表面电化学沉积硅烷膜层的影响

摘要：

采用交流阻抗技术研究了表面活性剂对不同条件下双-1,2-[3(三乙氧基)硅丙基]四硫化物硅烷在铝合金表面阴极电化学辅助沉积成膜的影响.研究表明:在硅烷溶液中加入表面活性剂进行改性,可降低硅烷在铝合金表面电化学沉积的阴极沉积电位,抑制硅烷沉积过程中的析H2作用,改善电极界面区域硅烷成膜环境.试验证明:硅烷溶液中表面活性剂的最佳改性浓度为0.03%,在此浓度下,铝合金表面硅烷阴极电沉积的最佳沉积电位为-1.6V.

关键词：表面活性剂、铝合金、最佳沉积电位、硅烷膜、电化学沉积

所属期刊栏目：37

分类号：TG178(金属学与热处理)

资助基金：湖南省长沙市科技计划项目K061018-12

在线出版日期：2008-07-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-3,57